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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 500mW(Ta) SC-59-3
型号:
DMP3030SN-7
仓库库存编号:
DMP3030SNDICT-ND
别名:DMP3030SNDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 800mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J56MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J56MFVL3FCT-ND
别名:SSM3J56MFVL3F(TCT
SSM3J56MFVL3F(TCT-ND
SSM3J56MFVL3FCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 190mA(Ta) 830mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
BST82,215
仓库库存编号:
1727-4937-1-ND
别名:1727-4937-1
568-6229-1
568-6229-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Tc) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002 TR
仓库库存编号:
2N7002 CT-ND
别名:2N7002 CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN3051L-7
仓库库存编号:
DMN3051LDICT-ND
别名:DMN3051LDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 50V 130mA 150mW Surface Mount SOT-563
型号:
BSS84V-7
仓库库存编号:
BSS84V-7CT-ND
别名:BSS84V-7CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RTM002P02T2L
仓库库存编号:
RTM002P02T2LCT-ND
别名:RTM002P02T2LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount EMT6
型号:
EM6K1T2R
仓库库存编号:
EM6K1T2RCT-ND
别名:EM6K1T2RCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 300mA 400mW Surface Mount X2-DFN1310-6
型号:
DMN2005DLP4K-7
仓库库存编号:
DMN2005DLP4KDICT-ND
别名:DMN2005DLP4KDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 350mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN3150LW-7
仓库库存编号:
DMN3150LWDICT-ND
别名:DMN3150LWDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3K116TU,LF
仓库库存编号:
SSM3K116TULFCT-ND
别名:SSM3K116TULFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
DMN601DWK-7
仓库库存编号:
DMN601DWKDICT-ND
别名:DMN601DWK-FCT
DMN601DWK-FCT-ND
DMN601DWK-FDICT
DMN601DWK-FDICT-ND
DMN601DWKDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 540mA 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
DMN2004DWK-7
仓库库存编号:
DMN2004DWKDICT-ND
别名:DMN2004DWKDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 250mW(Ta) SOT-323
型号:
DMP2240UW-7
仓库库存编号:
DMP2240UWDICT-ND
别名:DMP2240UWDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SOT-963
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 220mA, 200mA 125mW Surface Mount SOT-963
型号:
NTUD3169CZT5G
仓库库存编号:
NTUD3169CZT5GOSCT-ND
别名:NTUD3169CZT5GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 540mA 225mW Surface Mount SOT-26
型号:
DMN2004DMK-7
仓库库存编号:
DMN2004DMKDICT-ND
别名:DMN2004DMKDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 400mA 400mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMN32D2LV-7
仓库库存编号:
DMN32D2LV-7DICT-ND
别名:DMN32D2LV-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT-26
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2A 600mW Surface Mount SOT-26
型号:
DMP2240UDM-7
仓库库存编号:
DMP2240UDMDICT-ND
别名:DMP2240UDMDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 500mW(Ta) ES6(1.6x1.6)
型号:
SSM6K202FE,LF
仓库库存编号:
SSM6K202FELFCT-ND
别名:SSM6K202FE(TE85LFCT
SSM6K202FE(TE85LFCT-ND
SSM6K202FE,LFCT
SSM6K202FE,LFCT-ND
SSM6K202FELF
SSM6K202FELFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 600mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN2230U-7
仓库库存编号:
DMN2230U-7DICT-ND
别名:DMN2230U-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 650mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN3200U-7
仓库库存编号:
DMN3200U-7DICT-ND
别名:DMN3200U-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 580mW(Ta),12.5W(Tc) SOT-89-3
型号:
BSS87,115
仓库库存编号:
1727-4936-1-ND
别名:1727-4936-1
568-6228-1
568-6228-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V SOT23F-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 137mA(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
ZXMP2120FFTA
仓库库存编号:
ZXMP2120FFCT-ND
别名:ZXMP2120FFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BS250FTA
仓库库存编号:
BS250FCT-ND
别名:BS250F
BS250FCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 150mW Surface Mount WSMini8-F1-B
型号:
MTM78E2B0LBF
仓库库存编号:
MTM78E2B0LBFCT-ND
别名:MTM78E2B0LBFCT
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