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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N CH 20V 4.5A SMINI3-G1-B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1-B
  
  型号：MTM232230LBF
  仓库库存编号：MTM232230LBFCT-ND
  别名：MTM232230LBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 75mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVP3310FTA
  仓库库存编号：ZVP3310FCT-ND
  别名：ZVP3310F
  ZVP3310FCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：CPC3703CTR
  仓库库存编号：CPC3703CCT-ND
  别名：CPC3703CCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 560mW（Ta），12.5W（Tc） SOT-89-3
  
  型号：BSS192,115
  仓库库存编号：1727-4934-1-ND
  别名：1727-4934-1
  568-6226-1
  568-6226-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVNL110ASTZ
  仓库库存编号：ZVNL110ASCT-ND
  别名：ZVNL110ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 330mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-5
  
  型号：LND01K1-G
  仓库库存编号：LND01K1-GCT-ND
  别名：LND01K1-GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5mA（Ta） 2.5W（Ta） SOT-223
  
  型号：CPC5602CTR
  仓库库存编号：CLA298CT-ND
  别名：CLA298CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21.7A（Tc） 88W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9275-100A,118
  仓库库存编号：1727-7186-1-ND
  别名：1727-7186-1
  568-9672-1
  568-9672-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：TN2106K1-G
  仓库库存编号：TN2106K1-GCT-ND
  别名：TN2106K1-GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 114W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9226-75A,118
  仓库库存编号：1727-7182-1-ND
  别名：1727-7182-1
  568-9668-1
  568-9668-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN0545GTA
  仓库库存编号：ZVN0545GCT-ND
  别名：ZVN0545G
  ZVN0545GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2106N3-G
  仓库库存编号：VN2106N3-G-ND
  
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：2N7000-G
  仓库库存编号：2N7000-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000BU
  仓库库存编号：2N7000BU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 72mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：DN3135K1-G
  仓库库存编号：DN3135K1-GCT-ND
  别名：DN3135K1-GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVNL120GTA
  仓库库存编号：ZVNL120GCT-ND
  别名：ZVNL120G
  ZVNL120GCT
  
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 400mW（Ta），1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2222LL-G
  仓库库存编号：VN2222LL-G-ND
  
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 270mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：MIC94053YC6-TR
  仓库库存编号：576-2939-1-ND
  别名：576-2939-1
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVNL110GTA
  仓库库存编号：ZVNL110GCT-ND
  别名：ZVNL110G
  ZVNL110GCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS270
  仓库库存编号：BS270FS-ND
  别名：BS270-ND
  BS270FS
  
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G
  仓库库存编号：VN10KN3-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：LND150N3-G
  仓库库存编号：LND150N3-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 135mA（Tj） 1.3W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3135N8-G
  仓库库存编号：DN3135N8-GCT-ND
  别名：DN3135N8-GCT
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 310mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVP2110GTA
  仓库库存编号：ZVP2110GCT-ND
  别名：ZVP2110G
  ZVP2110GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP2106N3-G
  仓库库存编号：VP2106N3-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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