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Microchip Technology
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 568mW(Ta) SOT-143
型号:
MIC94030YM4-TR
仓库库存编号:
576-2936-1-ND
别名:576-2936-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 2.5W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN4424GTA
仓库库存编号:
ZVN4424GCT-ND
别名:ZVN4424G
ZVN4424GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 230mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
2N7008-G
仓库库存编号:
2N7008-G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Tj) 1.3W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN3145N8-G
仓库库存编号:
DN3145N8-GCT-ND
别名:DN3145N8-GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN3535N8-G
仓库库存编号:
DN3535N8-GCT-ND
别名:DN3535N8-GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 54W(Tc) D2PAK
型号:
BUK96180-100A,118
仓库库存编号:
1727-7191-1-ND
别名:1727-7191-1
568-9680-1
568-9680-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 215mA(Ta) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
TN5325N3-G
仓库库存编号:
TN5325N3-G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN3545N8-G
仓库库存编号:
DN3545N8-GCT-ND
别名:DN3545N8-GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0104N3-G
仓库库存编号:
VN0104N3-G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 175mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92(TO-226)
型号:
DN2530N3-G
仓库库存编号:
DN2530N3-G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 160mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVP3306A
仓库库存编号:
ZVP3306A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 270mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
VN10LP
仓库库存编号:
VN10LP-ND
别名:FVN10LP
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Ta) 740mW(Ta) TO-92(TO-226)
型号:
DN3545N3-G
仓库库存编号:
DN3545N3-G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 140mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVP3310A
仓库库存编号:
ZVP3310A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 450mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN2106A
仓库库存编号:
ZVN2106A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 320mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN2110A
仓库库存编号:
ZVN2110A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2540N3-G
仓库库存编号:
DN2540N3-G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VP0104N3-G
仓库库存编号:
VP0104N3-G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.67A(Ta) 3W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN4310GTA
仓库库存编号:
ZVN4310GCT-ND
别名:ZVN4310G
ZVN4310GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN4206A
仓库库存编号:
ZVN4206A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN4206AV
仓库库存编号:
ZVN4206AV-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0106N3-G
仓库库存编号:
TN0106N3-G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 180mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVNL120A
仓库库存编号:
ZVNL120A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 270mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN3306A
仓库库存编号:
ZVN3306A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
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