规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.1nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXM61N03FTA
仓库库存编号:
ZXM61N03FCT-ND
别名:ZXM61N03F
ZXM61N03FCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.1nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号:
FDS89161
仓库库存编号:
FDS89161CT-ND
别名:FDS89161CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 720mW(Ta) SOT-23
型号:
DMP6350S-7
仓库库存编号:
DMP6350S-7DICT-ND
别名:DMP6350S-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.1nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 800mA(Ta) 1.5W(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN86265P
仓库库存编号:
FDN86265PCT-ND
别名:FDN86265PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.1nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 1.4A SC-70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Tc) 400mW(Ta),500mW(Tc) SOT-323
型号:
SI1308EDL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1308EDL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1308EDL-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 60V 1.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 720mW(Ta) SOT-23
型号:
DMP6350S-13
仓库库存编号:
DMP6350S-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXM61N03FTC
仓库库存编号:
ZXM61N03FTC-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.1nC @ 10V,
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