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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT94N65B2C6
  仓库库存编号：APT94N65B2C6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 142A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1607PBF
  仓库库存编号：IRF1607PBF-ND
  别名：*IRF1607PBF
  SP001553894
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS38N60LPBF
  仓库库存编号：IRFPS38N60LPBF-ND
  别名：*IRFPS38N60LPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT40N50L2
  仓库库存编号：IXTT40N50L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 415W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW47N60C3
  仓库库存编号：SPW47N60C3IN-ND
  别名：SP000013953
  SPW47N60C3FKSA1
  SPW47N60C3IN
  SPW47N60C3X
  SPW47N60C3XK
  SPW47N60C3XTIN
  SPW47N60C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ40N50L2
  仓库库存编号：IXTQ40N50L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P04PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P04PDG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH40N50L2
  仓库库存编号：IXTH40N50L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX180N085
  仓库库存编号：IXFX180N085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 180A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK180N085
  仓库库存编号：IXFK180N085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR180N085
  仓库库存编号：IXFR180N085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P04PLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P04PLG-E1-AYTR-ND
  别名：NP100P04PLG-E1-AY-ND
  NP100P04PLG-E1-AYTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS38N60L
  仓库库存编号：IRFPS38N60L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 142A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1607
  仓库库存编号：IRF1607-ND
  别名：*IRF1607
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 320nC @ 10V,
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