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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 780mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMG3414U-7
  仓库库存编号：DMG3414U-7DICT-ND
  别名：DMG3414U-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.9A 870mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：DMG8822UTS-13
  仓库库存编号：DMG8822UTS-13DICT-ND
  别名：DMG8822UTS-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Tc） 2.1W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM600P03CS RLG
  仓库库存编号：TSM600P03CS RLGTR-ND
  别名：TSM600P03CS RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Tc） 2.1W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM600P03CS RLG
  仓库库存编号：TSM600P03CS RLGCT-ND
  别名：TSM600P03CS RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Tc） 2.1W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM600P03CS RLG
  仓库库存编号：TSM600P03CS RLGDKR-ND
  别名：TSM600P03CS RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM500P02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM500P02DCQ RFGTR-ND
  别名：TSM500P02DCQ RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM500P02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM500P02DCQ RFGCT-ND
  别名：TSM500P02DCQ RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM500P02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM500P02DCQ RFGDKR-ND
  别名：TSM500P02DCQ RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM500P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM500P02CX RFGTR-ND
  别名：TSM500P02CX RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM500P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM500P02CX RFGCT-ND
  别名：TSM500P02CX RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM500P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM500P02CX RFGDKR-ND
  别名：TSM500P02CX RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 780mW SOT-23-3
  
  型号：DMG3414UQ-13
  仓库库存编号：DMG3414UQ-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 780mW SOT-23-3
  
  型号：DMG3414UQ-7
  仓库库存编号：DMG3414UQ-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：IRF5810
  仓库库存编号：IRF5810-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：IRF5810TR
  仓库库存编号：IRF5810TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：IRF5810TRPBF
  仓库库存编号：IRF5810TRPBFCT-ND
  别名：IRF5810TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.6nC @ 4.5V,
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