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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN302P
  仓库库存编号：FDN302PCT-ND
  别名：FDN302PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA410NZ
  仓库库存编号：FDMA410NZCT-ND
  别名：FDMA410NZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9433BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI9433BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI9433BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA291P
  仓库库存编号：FDMA291PCT-ND
  别名：FDMA291PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.77A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2314EDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2314EDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2314EDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4447DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4447DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4447DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.9A（Ta） 770mW（Ta），33W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C05NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C05NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4C05NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9433BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9433BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI9433BDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7413ZTRPBF
  仓库库存编号：IRF7413ZPBFCT-ND
  别名：*IRF7413ZTRPBF
  IRF7413ZPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3707ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3707ZTRPBFCT-ND
  别名：*IRFR3707ZTRPBF
  IRFR3707ZPBFCT
  IRFR3707ZPBFCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），34A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH7921TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7921TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7921TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 670mW（Ta） X2-WLB0808-4
  
  型号：DMP1100UCB4-7
  仓库库存编号：DMP1100UCB4-7DICT-ND
  别名：DMP1100UCB4-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC638P
  仓库库存编号：FDC638PCT-ND
  别名：FDC638PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.8W（Ta） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：MCP87055T-U/LC
  仓库库存编号：MCP87055T-U/LCCT-ND
  别名：MCP87055T-U/LCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4447DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4447DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4447DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7821TRPBF
  仓库库存编号：IRF7821PBFCT-ND
  别名：*IRF7821TRPBF
  IRF7821PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.6W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3460EV-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ3460EV-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ3460EV-T1-GE3CT
  SQ3460EV-T1-GE3CT-ND
  SQ3460EV-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 75W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7821TRPBF
  仓库库存编号：IRLR7821PBFCT-ND
  别名：*IRLR7821TRPBF
  IRLR7821PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.65A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3441T1G
  仓库库存编号：NTGS3441T1GOSCT-ND
  别名：NTGS3441T1GOS
  NTGS3441T1GOS-ND
  NTGS3441T1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM180N03CS RLG
  仓库库存编号：TSM180N03CS RLGTR-ND
  别名：TSM180N03CS RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM180N03CS RLG
  仓库库存编号：TSM180N03CS RLGCT-ND
  别名：TSM180N03CS RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM180N03CS RLG
  仓库库存编号：TSM180N03CS RLGDKR-ND
  别名：TSM180N03CS RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.65A（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NVGS3441T1G
  仓库库存编号：NVGS3441T1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 40V 4.65A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.65A（Ta） 810mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP4025SFG-7
  仓库库存编号：DMP4025SFG-7DICT-ND
  别名：DMP4025SFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A 1.5W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：AO8810
  仓库库存编号：785-1096-2-ND
  别名：785-1096-2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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