以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3.2A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2331DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2331DS-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3.2A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2331DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2331DS-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4.5A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3447BDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3447BDV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 7A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 1.5W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：AO8818
  仓库库存编号：AO8818-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4A（Ta） 1.8W（Ta） 6-DFN（1.6x1.6）
  
  型号：AON1610
  仓库库存编号：AON1610-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.9A（Ta），78A（Tc） 770mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C05NT1G-001
  仓库库存编号：NTMFS4C05NT1G-001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A 1.5W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：AO8810#A
  仓库库存编号：AO8810#A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807VD2
  仓库库存编号：IRF7807VD2-ND
  别名：*IRF7807VD2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807VD1
  仓库库存编号：IRF7807VD1-ND
  别名：*IRF7807VD1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807VD1TR
  仓库库存编号：IRF7807VD1TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807VD2TR
  仓库库存编号：IRF7807VD2TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 65A（Tc） 75W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU7821
  仓库库存编号：IRLU7821-ND
  别名：*IRLU7821
  Q1500049
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7821TR
  仓库库存编号：IRF7821TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 56A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3707Z
  仓库库存编号：IRFR3707Z-ND
  别名：*IRFR3707Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7413ZTR
  仓库库存编号：IRF7413ZTR-ND
  别名：SP001551338
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7413Z
  仓库库存编号：IRF7413Z-ND
  别名：*IRF7413Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 60A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3704ZTRL
  仓库库存编号：IRFR3704ZTRL-ND
  别名：*IRFR3704Z
  IRFR3704Z
  IRFR3704Z-ND
  SP001556946
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 56A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 56A（Tc） 50W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3707ZPBF
  仓库库存编号：IRFU3707ZPBF-ND
  别名：*IRFU3707ZPBF
  SP001567690
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 60A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 60A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3704ZPBF
  仓库库存编号：IRFU3704ZPBF-ND
  别名：*IRFU3704ZPBF
  SP001578388
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 65A（Tc） 75W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU7821PBF
  仓库库存编号：IRLU7821PBF-ND
  别名：*IRLU7821PBF
  SP001568646
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807VD1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7807VD1PBFCT-ND
  别名：*IRF7807VD1TRPBF
  IRF7807VD1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807VD2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7807VD2PBFCT-ND
  别名：*IRF7807VD2TRPBF
  IRF7807VD2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 60A（Ta） D-Pak
  
  型号：IRFR3704ZCPBF
  仓库库存编号：IRFR3704ZCPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 65A（Tc） 75W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7821CTRRPBF
  仓库库存编号：IRLR7821CTRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 56A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3707ZCTRLP
  仓库库存编号：IRFR3707ZCTRLP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索