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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），42A（Tc） 2.8W（Ta） 8-PQFN（3x3）
  
  型号：IRFH3702TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH3702TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH3702TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
  
  型号：IRF6723M2DTR1P
  仓库库存编号：IRF6723M2DTR1PCT-ND
  别名：IRF6723M2DTR1PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7413ZGTRPBF
  仓库库存编号：IRF7413ZGTRPBFCT-ND
  别名：IRF7413ZGTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7821GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7821GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7821GTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 60A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3704ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3704ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFR3704ZTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
  
  型号：IRF6702M2DTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6702M2DTR1PBF-ND
  别名：IRF6702M2DTR1P
  IRF6702M2DTR1P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
  
  型号：IRF6702M2DTRPBF
  仓库库存编号：IRF6702M2DTRPBF-ND
  别名：SP001523948
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9392PBF
  仓库库存编号：IRF9392PBF-ND
  别名：SP001577592
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 10A（Ta），12A（Tc） 1.98W（Ta），9.6W（Tc） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRLHS6242TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHS6242TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHS6242TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A SQ
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ
  
  型号：IRF8327STR1PBF
  仓库库存编号：IRF8327STR1PBFCT-ND
  别名：IRF8327STR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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