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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 2A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号:
FDC6333C
仓库库存编号:
FDC6333CCT-ND
别名:FDC6333CCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 480mA(Ta) 760mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN24H3D5L-7
仓库库存编号:
DMN24H3D5L-7DICT-ND
别名:DMN24H3D5L-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 2.2W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN15A27KTC
仓库库存编号:
ZXMN15A27KTCCT-ND
别名:ZXMN15A27KTCCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3430DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3430DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3430DV-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3430DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3430DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3430DV-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
T6 40V MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta), 140A(Tc) 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C442NT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C442NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C442NT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP125H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP125H6327XTSA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Tc) 37W(Tc) DPAK
型号:
NDD03N40ZT4G
仓库库存编号:
NDD03N40ZT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 37W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD03N40Z-1G
仓库库存编号:
NDD03N40Z-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Tc) 2W(Tc) SOT-223(TO-261)
型号:
NDT03N40ZT3G
仓库库存编号:
NDT03N40ZT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Tc) 2W(Tc) SOT-223(TO-261)
型号:
NDT03N40ZT1G
仓库库存编号:
NDT03N40ZT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125H6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP125H6433XTMA1-ND
别名:SP001058578
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 10W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
型号:
SI5944DU-T1-E3
仓库库存编号:
SI5944DU-T1-E3CT-ND
别名:SI5944DU-T1-E3CT
SI5944DUT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 19A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8A(Ta),19A(Tc) 4.2W(Ta),21W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4102
仓库库存编号:
785-1104-2-ND
别名:785-1104-2
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 10W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
型号:
SI5944DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5944DU-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7102
仓库库存编号:
IRF7102-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125 E6327
仓库库存编号:
BSP125 E6327-ND
别名:BSP125E6327T
SP000011100
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125 E6433
仓库库存编号:
BSP125 E6433-ND
别名:BSP125E6433T
SP000011101
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125L6433HTMA1
仓库库存编号:
BSP125L6433HTMA1CT-ND
别名:BSP125 L6433CT
BSP125 L6433CT-ND
BSP125L6433
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V,
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