规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF8915TRPBF
仓库库存编号:
IRF8915PBFCT-ND
别名:*IRF8915TRPBF
IRF8915PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Tj) 1.1W(Ta) ChipFET?
型号:
NTHD3101FT1G
仓库库存编号:
NTHD3101FT1GOSCT-ND
别名:NTHD3101FT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87335Q3D
仓库库存编号:
296-43949-1-ND
别名:296-43949-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 25A
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87335Q3DT
仓库库存编号:
296-43923-1-ND
别名:296-43923-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.7A(Tc) 1.9W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV30UN,215
仓库库存编号:
568-2353-1-ND
别名:568-2353-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Tj) 1.1W(Ta) ChipFET?
型号:
NTHD3101FT3
仓库库存编号:
NTHD3101FT3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Tj) 1.1W(Ta) ChipFET?
型号:
NTHD3133PFT1G
仓库库存编号:
NTHD3133PFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Tj) 1.1W(Ta) ChipFET?
型号:
NTHD3133PFT3G
仓库库存编号:
NTHD3133PFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET?
型号:
NTHD5903T1G
仓库库存编号:
NTHD5903T1GOSCT-ND
别名:NTHD5903T1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV30XN,215
仓库库存编号:
568-10833-1-ND
别名:568-10833-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF8915TR
仓库库存编号:
IRF8915TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF8915
仓库库存编号:
IRF8915-ND
别名:*IRF8915
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V,
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