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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 6.3A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.3A（Tc） 29.2W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R380CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R380CEXKSA2-ND
  别名：SP001217228
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.8nC @ 10V,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 53A（Tc） 75W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M12-60EX
  仓库库存编号：1727-7312-1-ND
  别名：1727-7312-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.1A（Tc） 98W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R380CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R380CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD50R380CEAUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Tc） 98W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R380CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R380CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R380CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9.9A（Tc） 73W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP50R380CE
  仓库库存编号：IPP50R380CE-ND
  别名：IPP50R380CEXKSA1
  SP000850818
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.8nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Tc） 73W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R380CE
  仓库库存编号：IPD50R380CECT-ND
  别名：IPD50R380CECT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.8nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R4N120P
  仓库库存编号：IXTP1R4N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.8nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 86W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA1R4N120P
  仓库库存编号：IXTA1R4N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9.9A（Tc） 29.2W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA50R380CE
  仓库库存编号：IPA50R380CE-ND
  别名：IPA50R380CEXKSA1
  SP000848216
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24.8nC @ 10V,
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