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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB017N06N3 G
  仓库库存编号：IPB017N06N3 GCT-ND
  别名：IPB017N06N3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 275nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），345A（Tc） 3.8W（Ta）, 341W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：AUIRF7749L2TR
  仓库库存编号：AUIRF7749L2CT-ND
  别名：AUIRF7749L2CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 275nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN82N60Q3
  仓库库存编号：IXFN82N60Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 275nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI024N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI024N06N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680644
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 275nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 82A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB82N60Q3
  仓库库存编号：IXFB82N60Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 275nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP024N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP024N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP024N06N3 G
  IPP024N06N3 G-ND
  IPP024N06N3G
  SP000680764
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 275nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI024N06N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI024N06N3GHKSA1-ND
  别名：IPI024N06N3 G
  IPI024N06N3 G-ND
  SP000451486
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 275nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB021N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB021N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB021N06N3 GCT
  IPB021N06N3 GCT-ND
  IPB021N06N3G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 275nC @ 10V,
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