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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 40V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 2.5W（Ta），62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4189
  仓库库存编号：785-1351-1-ND
  别名：785-1351-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN020-100YS,115
  仓库库存编号：1727-4286-1-ND
  别名：1727-4286-1
  568-4975-1
  568-4975-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS410DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS410DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS410DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4896DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4896DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4896DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7852DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7852DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP24NF10
  仓库库存编号：497-3185-5-ND
  别名：497-3185-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R5-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4166-1-ND
  别名：1727-4166-1
  568-4682-1
  568-4682-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8
  
  型号：BSC072N03LD G
  仓库库存编号：BSC072N03LD GCT-ND
  别名：BSC072N03LD GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7854TRPBF
  仓库库存编号：IRF7854TRPBFCT-ND
  别名：IRF7854TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4896DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4896DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4896DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N80C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD06N80C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD06N80C3ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP50N06
  仓库库存编号：FQP50N06FS-ND
  别名：FQP50N06-ND
  FQP50N06FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 250W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N250HV
  仓库库存编号：IXTT1N250HV-ND
  别名：628949
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7451TRPBF
  仓库库存编号：IRF7451PBFCT-ND
  别名：*IRF7451TRPBF
  IRF7451PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3W（Ta），140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR15N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR15N20DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR15N20DTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R310CFD
  仓库库存编号：IPB65R310CFDCT-ND
  别名：IPB65R310CFDCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF634PBF
  仓库库存编号：IRF634PBF-ND
  别名：*IRF634PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN1R603PL,L1Q
  仓库库存编号：TPN1R603PLL1QCT-ND
  别名：TPN1R603PLL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP9NK65ZFP
  仓库库存编号：497-12621-5-ND
  别名：497-12621-5
  STP9NK65ZFP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4904NT4G
  仓库库存编号：NTD4904NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4904NT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Ta） 940mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3017SFGQ-7
  仓库库存编号：DMP3017SFGQ-7DICT-ND
  别名：DMP3017SFGQ-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86320
  仓库库存编号：FDMS86320CT-ND
  别名：FDMS86320CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4480
  仓库库存编号：FDS4480CT-ND
  别名：FDS4480CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 20A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 46W（Tc）
  
  型号：SQD19P06-60L_GE3
  仓库库存编号：SQD19P06-60L_GE3CT-ND
  别名：SQD19P06-60L_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8672S
  仓库库存编号：FDS8672SCT-ND
  别名：FDS8672SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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