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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3572
  仓库库存编号：FDS3572CT-ND
  别名：FDS3572CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB50N06TM
  仓库库存编号：FQB50N06TMFSCT-ND
  别名：FQB50N06TMFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.2A（Ta） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：FDS86140
  仓库库存编号：FDS86140CT-ND
  别名：FDS86140CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7852DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7852DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB15N50
  仓库库存编号：FDB15N50CT-ND
  别名：FDB15N50CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7214-75B,118
  仓库库存编号：1727-4696-1-ND
  别名：1727-4696-1
  568-5844-1
  568-5844-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0901NSI
  仓库库存编号：BSZ0901NSICT-ND
  别名：BSZ0901NSICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC034N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC034N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC034N06NSATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 85V 24A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 24A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP24P085T
  仓库库存编号：IXTP24P085T-ND
  别名：620619
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 85V 24A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 24A（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA24P085T
  仓库库存编号：IXTA24P085T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP06N80C3
  仓库库存编号：SPP06N80C3IN-ND
  别名：SP000013366
  SP0000683154
  SP000683154
  SPP06N80C3IN
  SPP06N80C3X
  SPP06N80C3XK
  SPP06N80C3XKSA1
  SPP06N80C3XTIN
  SPP06N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R310CFD
  仓库库存编号：IPP65R310CFD-ND
  别名：IPP65R310CFDXKSA1
  SP000745028
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI634GPBF
  仓库库存编号：IRFI634GPBF-ND
  别名：*IRFI634GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Ta） 940mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3017SFG-7
  仓库库存编号：DMP3017SFG-7DICT-ND
  别名：DMP3017SFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS452DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS452DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS452DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI50N06TU
  仓库库存编号：FQI50N06TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 22A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
  
  型号：STK22N6F3
  仓库库存编号：497-10009-1-ND
  别名：497-10009-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），82A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5303TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5303TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5303TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 80A TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 630mW（Ta）, 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN2R304PL,L1Q
  仓库库存编号：TPN2R304PLL1QCT-ND
  别名：TPN2R304PLL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR410DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR410DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR410DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA06N80C3
  仓库库存编号：SPA06N80C3IN-ND
  别名：SP000216302
  SPA06N80C3IN
  SPA06N80C3X
  SPA06N80C3XK
  SPA06N80C3XKSA1
  SPA06N80C3XTIN
  SPA06N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
  
  型号：STD134N4F7AG
  仓库库存编号：497-17306-1-ND
  别名：497-17306-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  POWER TRANSISTORS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 127W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL190N4F7AG
  仓库库存编号：497-16678-1-ND
  别名：497-16678-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM026NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM026NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM026NA03CR RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM026NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM026NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM026NA03CR RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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