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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），79A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5304TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5304TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5304TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9332PBF
  仓库库存编号：IRF9332PBF-ND
  别名：SP001563824
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），120A（Tc） 3.6W（Ta），59W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8318TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH8318TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH8318TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.4A（Ta），45A（Tc） 76W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC205N10LS G
  仓库库存编号：BSC205N10LS GCT-ND
  别名：BSC205N10LS GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 19A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC883N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC883N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC883N03MS GCT
  BSC883N03MS GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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