以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 341W（Tc） TO-220
  
  型号：IRFB4137PBF
  仓库库存编号：IRFB4137PBF-ND
  别名：SP001554580
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4137PBF
  仓库库存编号：IRFP4137PBF-ND
  别名：SP001571068
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 204W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK663R2-40C,118
  仓库库存编号：1727-5521-1-ND
  别名：1727-5521-1
  568-7000-1
  568-7000-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN4R4-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7123-1-ND
  别名：1727-7123-1
  568-9493-1
  568-9493-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 269W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN7R0-100PS,127
  仓库库存编号：1727-4282-ND
  别名：1727-4282
  568-4971-5
  568-4971-5-ND
  934064289127
  PSMN7R0100PS127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R4-80PS,127
  仓库库存编号：1727-4265-ND
  别名：1727-4265
  568-4896-5
  568-4896-5-ND
  934063914127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 446W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：SIHS36N50D-E3
  仓库库存编号：SIHS36N50D-E3-ND
  别名：SIHS36N50DE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7866ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7866ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7866ADP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7880ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7880ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7880ADP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 70A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS
  
  型号：RCJ700N20TL
  仓库库存编号：RCJ700N20TLCT-ND
  别名：RCJ700N20TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH072N60
  仓库库存编号：FCH072N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH20N50D
  仓库库存编号：IXTH20N50D-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 70A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX700N20
  仓库库存编号：RCX700N20-ND
  别名：RCX700N20CT
  RCX700N20CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 269W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN7R0-100ES,127
  仓库库存编号：1727-5897-ND
  别名：1727-5897
  568-7516-5
  568-7516-5-ND
  934064292127
  PSMN7R0-100ES,127-ND
  PSMN7R0100ES127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 269W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN7R0-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7214-1-ND
  别名：1727-7214-1
  568-9705-1
  568-9705-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
  详细描述：表面贴装 P 沟道 89A（Tc） 2.2W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP2005UFG-13
  仓库库存编号：DMP2005UFG-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
  详细描述：表面贴装 P 沟道 89A（Tc） 2.2W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP2005UFG-7
  仓库库存编号：DMP2005UFG-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 204W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK6E3R4-40C,127
  仓库库存编号：1727-5889-ND
  别名：1727-5889
  568-7506-5
  568-7506-5-ND
  934064224127
  BUK6E3R4-40C,127-ND
  BUK6E3R440C127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA60DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA60DP-T1-RE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 97A（Tc） 136W（Tc） TO-252
  
  型号：SQD97N06-6M3L_GE3
  仓库库存编号：SQD97N06-6M3L_GE3-ND
  别名：SQD97N06-6M3L-GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD9407L_F085
  仓库库存编号：FDD9407L_F085CT-ND
  别名：FDD9407L_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 60A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ60S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ60S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ60S04M3L(T6L1NQ
  TJ60S04M3LT6L1NQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4626ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4626ADY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4626ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4626ADY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7788DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7788DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7788DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 125nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索