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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM100H45SCTG
  仓库库存编号：APTM100H45SCTG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），155A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86550
  仓库库存编号：FDMS86550CT-ND
  别名：FDMS86550CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），245A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86550ET60
  仓库库存编号：FDMS86550ET60CT-ND
  别名：FDMS86550ET60CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 53A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT53N60BC6
  仓库库存编号：APT53N60BC6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM100H45STG
  仓库库存编号：APTM100H45STG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• IXYS
  250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 780W（Tc） TO-268HV
  
  型号：IXFT150N25X3HV
  仓库库存编号：IXFT150N25X3HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 21A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10045JLL
  仓库库存编号：APT10045JLL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10045B2LLG
  仓库库存编号：APT10045B2LLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90P04P405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90P04P405ATMA1CT-ND
  别名：IPD90P04P405ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 81A（Tc） 210W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM85N10CZ C0G
  仓库库存编号：TSM85N10CZ C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM160N10CZ C0G
  仓库库存编号：TSM160N10CZ C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• IXYS
  250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 780W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH150N25X3
  仓库库存编号：IXFH150N25X3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM100H45FT3G
  仓库库存编号：APTM100H45FT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R3-30E,118
  仓库库存编号：568-9564-1-ND
  别名：568-9564-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK751R6-30E,127
  仓库库存编号：568-9837-5-ND
  别名：568-9837-5
  934066478127
  BUK751R630E127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E1R6-30E,127
  仓库库存编号：568-9848-5-ND
  别名：568-9848-5
  934066509127
  BUK7E1R630E127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 154nC @ 10V,
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