规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 28A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4806CS RLG
仓库库存编号:
TSM4806CS RLGTR-ND
别名:TSM4806CS RLGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 28A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4806CS RLG
仓库库存编号:
TSM4806CS RLGCT-ND
别名:TSM4806CS RLGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 28A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4806CS RLG
仓库库存编号:
TSM4806CS RLGDKR-ND
别名:TSM4806CS RLGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3A90PZTAG
仓库库存编号:
NTLUS3A90PZTAGOSCT-ND
别名:NTLUS3A90PZTAGOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3A90PZTBG
仓库库存编号:
NTLUS3A90PZTBG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8A ECH8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 1.5W Surface Mount 8-ECH
型号:
ECH8663R-TL-H
仓库库存编号:
ECH8663R-TL-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 14A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD25401Q3
仓库库存编号:
296-24260-1-ND
别名:296-24260-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.6A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3A90PZCTAG
仓库库存编号:
NTLUS3A90PZCTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.6A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3A90PZCTBG
仓库库存编号:
NTLUS3A90PZCTBG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 4.5V,
无铅
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