规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2308CX RFG
仓库库存编号:
TSM2308CX RFGTR-ND
别名:TSM2308CX RFGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2308CX RFG
仓库库存编号:
TSM2308CX RFGCT-ND
别名:TSM2308CX RFGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2308CX RFG
仓库库存编号:
TSM2308CX RFGDKR-ND
别名:TSM2308CX RFGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A SC96
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RQ5E040AJTCL
仓库库存编号:
RQ5E040AJTCLCT-ND
别名:RQ5E040AJTCLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 87A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17322Q5A
仓库库存编号:
296-29018-1-ND
别名:296-29018-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 940mW SOT-23-3
型号:
DMN2056U-13
仓库库存编号:
DMN2056U-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 940mW SOT-23-3
型号:
DMN2056U-7
仓库库存编号:
DMN2056U-7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V,
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 87A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17522Q5A
仓库库存编号:
296-29020-1-ND
别名:296-29020-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Tc) 1.5W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
型号:
CSD25303W1015
仓库库存编号:
296-28317-1-ND
别名:296-28317-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V,
无铅
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