规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21.4nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.7A 900mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
型号:
DMP2100UFU-7
仓库库存编号:
DMP2100UFU-7DICT-ND
别名:DMP2100UFU-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21.4nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
BUK6246-75C,118
仓库库存编号:
BUK6246-75C,118-ND
别名:934065904118
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21.4nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Ta) 111W(Ta) TO-220AB
型号:
PSMN018-100PSFQ
仓库库存编号:
PSMN018-100PSFQ-ND
别名:934068748127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21.4nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 53A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Ta) 111W(Ta) I2PAK
型号:
PSMN018-100ESFQ
仓库库存编号:
PSMN018-100ESFQ-ND
别名:934068749127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21.4nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 65W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN7R0-40LS,115
仓库库存编号:
568-5595-1-ND
别名:568-5595-1
PSMN7R040LS115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21.4nC @ 10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 22A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
BUK6240-75C,118
仓库库存编号:
568-6990-1-ND
别名:568-6990-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21.4nC @ 10V,
含铅
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