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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXM61P03FTA
仓库库存编号:
ZXM61P03FCT-ND
别名:ZXM61P03F
ZXM61P03FCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 140mA(Ta) 500mW(Tc) PG-SC-59
型号:
BSR92PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSR92PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSR92PH6327XTSA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2W(Ta) HUML2020L8
型号:
RF4E070GNTR
仓库库存编号:
RF4E070GNTRCT-ND
别名:RF4E070GNTRCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 480mW(Ta), 1.45W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV230ENEAR
仓库库存编号:
1727-2527-1-ND
别名:1727-2527-1
568-12966-1
568-12966-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3585CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3585CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3585CDV-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.9A(Ta) 1.4W SOT-23-3
型号:
ZXMN2F30FHQTA
仓库库存编号:
ZXMN2F30FHQTA-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.9A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6008-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6008-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6008-H(TE85LFM
TPC6008HTE85LFM
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 600V 200mA(Ta) 750mW(Ta) TO-92-3
型号:
HS54095TZ-E
仓库库存编号:
HS54095TZ-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 140mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR92PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSR92PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSR92P L6327
BSR92P L6327-ND
SP000265408
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V,
无铅
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