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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMP3A13FTA
  仓库库存编号：ZXMP3A13FCT-ND
  别名：ZXMP3A13FCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 380mA（Tc） 890mW（Ta），2.08W（Tc） TO-92-3
  
  型号：FQN1N50CTA
  仓库库存编号：FQN1N50CTACT-ND
  别名：FQN1N50CTACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 320mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RRF015P03GTL
  仓库库存编号：RRF015P03GTLCT-ND
  别名：RRF015P03GTLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 320mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RRF015P03TL
  仓库库存编号：RRF015P03TLCT-ND
  别名：RRF015P03TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP316PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP316PH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP89H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP89H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP89H6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN3P6F6
  仓库库存编号：497-13537-1-ND
  别名：497-13537-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS3P6F6
  仓库库存编号：497-13785-1-ND
  别名：497-13785-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 75W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL12P6F6
  仓库库存编号：497-13840-1-ND
  别名：497-13840-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P CH 60V 10A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 30W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10P6F6
  仓库库存编号：497-13440-ND
  别名：497-13440
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P CH 60V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10P6F6
  仓库库存编号：497-13424-1-ND
  别名：497-13424-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 3A SOT89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 3.5W（Tc） SOT-89/PCP-1
  
  型号：PCP1302-TD-H
  仓库库存编号：PCP1302-TD-HOSCT-ND
  别名：PCP1302-TD-HOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET PCH 60V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） DPAK
  
  型号：STD15P6F6AG
  仓库库存编号：STD15P6F6AG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10P6F6
  仓库库存编号：497-13831-5-ND
  别名：497-13831-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU10P6F6
  仓库库存编号：497-13884-5-ND
  别名：497-13884-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 380mA（Tc） 890mW（Ta），2.08W（Tc） TO-92-3
  
  型号：FQN1N50CBU
  仓库库存编号：FQN1N50CBU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PE6327
  仓库库存编号：BSP316PE6327INCT-ND
  别名：BSP316PE6327INCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PE6327T
  仓库库存编号：BSP316PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP316PE6327XTINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP89 E6327
  仓库库存编号：BSP89 E6327-ND
  别名：BSP89E6327T
  SP000011160
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP316PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP316PL6327
  BSP316PL6327INCT
  BSP316PL6327INCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP89L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP89L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP89L6327
  BSP89L6327INCT
  BSP89L6327INCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 10V,
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