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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 20V
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 700mW Surface Mount 4-AlphaDFN (1.57x1.57)
型号:
AOC2804
仓库库存编号:
785-1704-1-ND
别名:785-1704-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 5.2W(Ta) PolarPak?
型号:
STK820
仓库库存编号:
497-6324-1-ND
别名:497-6324-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.6A 515mW Surface Mount DFN2020-6
型号:
PMDPB58UPE,115
仓库库存编号:
1727-1237-1-ND
别名:1727-1237-1
568-10442-1
568-10442-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel 21A (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
型号:
DMN3016LDV-13
仓库库存编号:
DMN3016LDV-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel 21A (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
型号:
DMN3016LDV-7
仓库库存编号:
DMN3016LDV-7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 21A (Tc), 15A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
型号:
DMC3016LDV-13
仓库库存编号:
DMC3016LDV-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 21A (Tc), 15A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
型号:
DMC3016LDV-7
仓库库存编号:
DMC3016LDV-7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 9A (Ta), 6.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
型号:
DMC3016LNS-13
仓库库存编号:
DMC3016LNS-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 9A (Ta), 6.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
型号:
DMC3016LNS-7
仓库库存编号:
DMC3016LNS-7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 7.6A(Ta),58A(Tc) 1.04W(Ta),62.5W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP65N02R
仓库库存编号:
NTP65N02ROS-ND
别名:NTP65N02ROS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 65A(Tc) 1.04W(Ta),62.5W(Tc) D2PAK
型号:
NTB65N02RT4
仓库库存编号:
NTB65N02RT4OSCT-ND
别名:NTB65N02RT4OSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 7.6A(Tc) 1.04W(Ta),62.5W(Tc) D2PAK
型号:
NTB65N02RT4G
仓库库存编号:
NTB65N02RT4GOS-ND
别名:NTB65N02RT4GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 7.6A(Ta),58A(Tc) 1.04W(Ta),62.5W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP65N02RG
仓库库存编号:
NTP65N02RGOS-ND
别名:NTP65N02RGOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 65A(Tc) 1.04W(Ta),62.5W(Tc) D2PAK
型号:
NTB65N02RG
仓库库存编号:
NTB65N02RG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4701
仓库库存编号:
785-1047-1-ND
别名:785-1047-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7.8A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF8852TRPBF
仓库库存编号:
IRF8852TRPBFCT-ND
别名:IRF8852TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 4.5V,
无铅
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