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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 2.12W(Ta) TO-252-3
型号:
DMN6068LK3-13
仓库库存编号:
DMN6068LK3-13DICT-ND
别名:DMN6068LK3-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
DMN6068SE-13
仓库库存编号:
DMN6068SE-13CT-ND
别名:DMN6068SE-13CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 29W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN011-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-6495-1-ND
别名:1727-6495-1
568-8526-1
568-8526-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
DMN6066SSS-13
仓库库存编号:
DMN6066SSS-13CT-ND
别名:DMN6066SSS-13CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.3A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
DMN6066SSD-13
仓库库存编号:
DMN6066SSD-13CT-ND
别名:DMN6066SSD-13CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 48W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL10N65M2
仓库库存编号:
497-15052-1-ND
别名:497-15052-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta),27A(Tc) 690mW(Ta), 20.2W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4C25NTWG
仓库库存编号:
NTTFS4C25NTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta),27A(Tc) 690mW(Ta), 20.2W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4C25NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4C25NTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.1A(Ta),22.1A(Tc) 3W(Ta),14.3W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C25NTAG
仓库库存编号:
NVTFS4C25NTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.1A(Ta),22.1A(Tc) 3W(Ta),14.3W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C25NWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS4C25NWFTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V,
无铅
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