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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6327C
  仓库库存编号：FDC6327CCT-ND
  别名：FDC6327CCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3590DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3590DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3590DV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 1.69W（Ta） SOT-223
  
  型号：NCV8440ASTT1G
  仓库库存编号：NCV8440ASTT1GOSCT-ND
  别名：NCV8440ASTT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 568mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1403BDL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1403BDL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1403BDL-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301BCX RFG
  仓库库存编号：TSM2301BCX RFGTR-ND
  别名：TSM2301BCX RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301BCX RFG
  仓库库存编号：TSM2301BCX RFGCT-ND
  别名：TSM2301BCX RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301BCX RFG
  仓库库存编号：TSM2301BCX RFGDKR-ND
  别名：TSM2301BCX RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：SI1403BDL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1403BDL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1403BDL-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3590DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3590DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3590DV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta） 900mW（Ta） U-WLB1010-4
  
  型号：DMN1032UCB4-7
  仓库库存编号：DMN1032UCB4-7DICT-ND
  别名：DMN1032UCB4-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
  
  型号：RSR020P05TL
  仓库库存编号：RSR020P05TLCT-ND
  别名：RSR020P05TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A 60W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL40DN3LLH5
  仓库库存编号：497-11220-1-ND
  别名：497-11220-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.7A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount 6-HUSON (2x2)
  
  型号：PMDPB95XNE2X
  仓库库存编号：1727-2691-1-ND
  别名：1727-2691-1
  568-13210-1
  568-13210-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG311N
  仓库库存编号：FDG311NCT-ND
  别名：FDG311NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301ACX RFG
  仓库库存编号：TSM2301ACX RFGTR-ND
  别名：TSM2301ACX RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301ACX RFG
  仓库库存编号：TSM2301ACX RFGCT-ND
  别名：TSM2301ACX RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301ACX RFG
  仓库库存编号：TSM2301ACX RFGDKR-ND
  别名：TSM2301ACX RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA928DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA928DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA928DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL INTEGR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 6.5W（Tc） 6-TDFN（2x2）
  
  型号：TSM301K12CQ RFG
  仓库库存编号：TSM301K12CQ RFGTR-ND
  别名：TSM301K12CQ RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL INTEGR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 6.5W（Tc） 6-TDFN（2x2）
  
  型号：TSM301K12CQ RFG
  仓库库存编号：TSM301K12CQ RFGCT-ND
  别名：TSM301K12CQ RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL INTEGR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 6.5W（Tc） 6-TDFN（2x2）
  
  型号：TSM301K12CQ RFG
  仓库库存编号：TSM301K12CQ RFGDKR-ND
  别名：TSM301K12CQ RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3020-
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel 5.5A (Ta) Surface Mount V-DFN3020-8
  
  型号：DMN3035LWN-13
  仓库库存编号：DMN3035LWN-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
  
  型号：RSR020P05FRATL
  仓库库存编号：RSR020P05FRATL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Tc） 1.75W（Ta），2.75W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4845DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4845DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4845DY-T1-E3CT
  SI4845DYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 700mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
  
  型号：NTLJD4150PTBG
  仓库库存编号：NTLJD4150PTBG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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