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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1402DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1402DH-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1402DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1402DH-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59V 2.6A（Ta） 1.69W（Ta） SOT-223
  
  型号：NCV8440STT1G
  仓库库存编号：NCV8440STT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59V 2.6A（Ta） 1.69W（Ta） SOT-223
  
  型号：NCV8440STT3G
  仓库库存编号：NCV8440STT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH SC70-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.4A（Ta） 350mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：AO7413_030
  仓库库存编号：AO7413_030-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301CX RFG
  仓库库存编号：TSM2301CX RFGTR-ND
  别名：TSM2301CX RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301CX RFG
  仓库库存编号：TSM2301CX RFGCT-ND
  别名：TSM2301CX RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301CX RFG
  仓库库存编号：TSM2301CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2301CX RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V,
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