规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.2nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
PCH -20V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.5A(Ta) 1W(Tc) TUMT6
型号:
RF6C055BCTCR
仓库库存编号:
RF6C055BCTCRCT-ND
别名:RF6C055BCTCRCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.2nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD85312Q3E
仓库库存编号:
296-37187-1-ND
别名:296-37187-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.2nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 76.7A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH6030L,115
仓库库存编号:
PH6030L,115-ND
别名:934061643115
PH6030L T/R
PH6030L T/R-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.2nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 76.7A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH8030L,115
仓库库存编号:
PH8030L,115-ND
别名:934058818115
PH8030L T/R
PH8030L T/R-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.2nC @ 4.5V,
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