规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.8nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
PCH -30V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.5A(Tc) 1.5W(Tc) TSMT8
型号:
RQ7E055ATTCR
仓库库存编号:
RQ7E055ATTCRCT-ND
别名:RQ7E055ATTCRCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.8nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N380CP ROGTR-ND
别名:TSM70N380CP ROGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.8nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N380CP ROGCT-ND
别名:TSM70N380CP ROGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.8nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N380CP ROGDKR-ND
别名:TSM70N380CP ROGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.8nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 85W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y10-30B,115
仓库库存编号:
1727-4602-1-ND
别名:1727-4602-1
568-5512-1
568-5512-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.8nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) ITO-220
型号:
TSM70N380CI C0G
仓库库存编号:
TSM70N380CI C0G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.8nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM70N380CH C5G
仓库库存编号:
TSM70N380CH C5G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.8nC @ 10V,
无铅
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