规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44.2nC @ 5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 84A(Tc) 194W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN010-80YLX
仓库库存编号:
1727-2588-1-ND
别名:1727-2588-1
568-13039-1
568-13039-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44.2nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 84A(Tc) 194W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y11-80EX
仓库库存编号:
1727-1120-1-ND
别名:1727-1120-1
568-10275-1
568-10275-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44.2nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
PHB129NQ04LT,118
仓库库存编号:
568-2184-1-ND
别名:568-2184-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44.2nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP129NQ04LT,127
仓库库存编号:
PHP129NQ04LT,127-ND
别名:934058555127
PHP129NQ04LT
PHP129NQ04LT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44.2nC @ 5V,
无铅
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