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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 50A（Tc） 5W（Ta），39W（Tc）
  
  型号：SIR401DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR401DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR401DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 310nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：SQM200N04-1M8_GE3
  仓库库存编号：SQM200N04-1M8_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 310nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N04-1M7_GE3
  仓库库存编号：SQM120N04-1M7_GE3-ND
  别名：SQM120N04-1M7-GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 310nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB30N120P
  仓库库存编号：IXFB30N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 310nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 40A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB40N110P
  仓库库存编号：IXFB40N110P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 310nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 357W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXFL30N120P
  仓库库存编号：IXFL30N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 310nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 21A（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL40N110P
  仓库库存编号：IXFL40N110P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 310nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1100V 24A（Tc） 500W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F40N110P
  仓库库存编号：MMIX1F40N110P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 310nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN30N120P
  仓库库存编号：IXFN30N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 310nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 34A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN40N110P
  仓库库存编号：IXFN40N110P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 310nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N04S4LH0ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N04S4LH0ATMA1-ND
  别名：SP000979636
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 310nC @ 10V,
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