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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 34A(Tc) 85W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y30-75B,115
仓库库存编号:
1727-4942-1-ND
别名:1727-4942-1
568-6236-1
568-6236-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPDH6N03LAG
仓库库存编号:
IPDH6N03LAGINCT-ND
别名:IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2024ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2024ENGRCT-ND
别名:917-EPC2024ENGRCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2024ENG
仓库库存编号:
917-EPC2024ENG-ND
别名:917-EPC2024ENG
EPC2024ENGRC3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 12.8W(Tc) TO-126
型号:
FQE10N20LCTU
仓库库存编号:
FQE10N20LCTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6694
仓库库存编号:
FDS6694-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6104(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6104(TE85L,F,M)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-8 (2.9x1.5)
型号:
TPCF8102(TE85L,F,M
仓库库存编号:
TPCF8102(TE85L,F,M-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.5A(Ta) 900mW(Ta),2.1W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC6296
仓库库存编号:
FDMC6296-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 70A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 70A(Tc) 93W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70N03-09BP-E3
仓库库存编号:
SUP70N03-09BP-E3-ND
别名:SUP70N03-09BP-E3CT
SUP70N03-09BP-E3CT-ND
SUP70N0309BPE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 65W(Tc) DPAK
型号:
PHD45N03LTA,118
仓库库存编号:
PHD45N03LTA,118-ND
别名:934056763118
PHD45N03LTA /T3
PHD45N03LTA /T3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 75W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH3075L,115
仓库库存编号:
PH3075L,115-ND
别名:934058853115
PH3075L T/R
PH3075L T/R-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 40A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 40A(Tc) 65W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP45N03LTA,127
仓库库存编号:
PHP45N03LTA,127-ND
别名:934056739127
PHP45N03LTA
PHP45N03LTA-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPBH6N03LA
仓库库存编号:
IPBH6N03LA-ND
别名:IPBH6N03LAT
SP000068587
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD20N03L G
仓库库存编号:
IPD20N03L G-ND
别名:IPD20N03LGXT
SP000017603
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPFH6N03LA G
仓库库存编号:
IPFH6N03LA G-ND
别名:IPFH6N03LAGXT
SP000068589
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH6N03LA G
仓库库存编号:
IPSH6N03LA G-ND
别名:IPSH6N03LAGX
SP000075257
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPUH6N03LA G
仓库库存编号:
IPUH6N03LA G-ND
别名:IPUH6N03LAGX
SP000068594
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPBH6N03LA G
仓库库存编号:
IPBH6N03LAGINCT-ND
别名:IPBH6N03LAG
IPBH6N03LAGINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 5V,
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