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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23
  
  型号：ZXMP6A13FQTA
  仓库库存编号：ZXMP6A13FQTADICT-ND
  别名：ZXMP6A13FQTADICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6346TRPBF
  仓库库存编号：IRLML6346TRPBFCT-ND
  别名：IRLML6346TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2246TRPBF
  仓库库存编号：IRLML2246TRPBFCT-ND
  别名：IRLML2246TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.2W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD13201W10
  仓库库存编号：296-41412-1-ND
  别名：296-41412-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） SC-70FL/MCPH3
  
  型号：MCH3481-TL-W
  仓库库存编号：MCH3481-TL-WOSCT-ND
  别名：MCH3481-TL-WOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 920mW（Ta） U-WLB1510-6
  
  型号：DMP2070UCB6-7
  仓库库存编号：DMP2070UCB6-7DICT-ND
  别名：DMP2070UCB6-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD25213W10
  仓库库存编号：296-40004-1-ND
  别名：296-40004-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Ta） 1W（Ta） 8-MLP，MicroFET（3x2）
  
  型号：ZXMNS3BM832TA
  仓库库存编号：ZXMNS3BM832CT-ND
  别名：ZXMNS3BM832CT
  ZXMNS3BM832TA-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2A（Ta） 800mW（Ta） SC-70FL/MCPH3
  
  型号：MCH3481-TL-H
  仓库库存编号：MCH3481-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 510mW Surface Mount DFN2020-6
  
  型号：PMDPB56XN,115
  仓库库存编号：568-10760-1-ND
  别名：568-10760-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.5A（Ta） 270mW（Ta），1.92W（Tc） SOT-323-3
  
  型号：PMF77XN,115
  仓库库存编号：568-10786-1-ND
  别名：568-10786-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.9nC @ 4.5V,
• 无铅
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