规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.7nC @ 10V,
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26
型号:
ZXMP6A17E6TA
仓库库存编号:
ZXMP6A17E6CT-ND
别名:ZXMP6A17E6CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP6A17GTA
仓库库存编号:
ZXMP6A17GCT-ND
别名:ZXMP6A17GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26
型号:
ZXMP6A17E6QTA
仓库库存编号:
ZXMP6A17E6QTADICT-ND
别名:ZXMP6A17E6QTADICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMP6A17KTC
仓库库存编号:
ZXMP6A17KTCDICT-ND
别名:ZXMP6A17KTCDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.7A 1.81W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMP6A17DN8TA
仓库库存编号:
ZXMP6A17DN8CT-ND
别名:ZXMP6A17DN8CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMP6A17N8TC
仓库库存编号:
ZXMP6A17N8TCCT-ND
别名:ZXMP6A17N8TCCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.7nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP7N90K5
仓库库存编号:
497-17078-ND
别名:497-17078
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.7nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP6A17GQTA
仓库库存编号:
ZXMP6A17GQTADICT-ND
别名:ZXMP6A17GQTADICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.7nC @ 10V,
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