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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK662R4-40C,118
  仓库库存编号：1727-5519-1-ND
  别名：1727-5519-1
  568-6998-1
  568-6998-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 199nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK652R6-40C,127
  仓库库存编号：568-7493-5-ND
  别名：568-7493-5
  934064249127
  BUK652R6-40C,127-ND
  BUK652R640C127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 199nC @ 10V,
• 含铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 66A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN66N50Q2
  仓库库存编号：IXFN66N50Q2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 199nC @ 10V,
• 无铅
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