规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 133nC @ 5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK965R8-100E,118
仓库库存编号:
1727-7137-1-ND
别名:1727-7137-1
568-9570-1
568-9570-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 133nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK956R1-100E,127
仓库库存编号:
568-9866-5-ND
别名:568-9866-5
934066524127
BUK956R1100E127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 133nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E6R1-100E,127
仓库库存编号:
568-9877-5-ND
别名:568-9877-5
934066517127
BUK9E6R1100E127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 133nC @ 5V,
无铅
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