规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 253nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 181A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK6C3R3-75C,118
仓库库存编号:
1727-7127-1-ND
别名:1727-7127-1
568-9503-1
568-9503-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 253nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86360_F085
仓库库存编号:
FDB86360_F085CT-ND
别名:FDB86360_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 253nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 228A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK6C2R1-55C,118
仓库库存编号:
1727-7126-1-ND
别名:1727-7126-1
568-9502-1
568-9502-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 253nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 880W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH160N15T2
仓库库存编号:
IXFH160N15T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 253nC @ 10V,
无铅
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