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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 40V 12A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD413A
  仓库库存编号：785-1218-1-ND
  别名：785-1218-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.9A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2343CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2343CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2343CDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.8W（Ta），8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT6NQ10T,135
  仓库库存编号：1727-5352-1-ND
  别名：1727-5352-1
  568-6791-1
  568-6791-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta），16A（Tc） 2.3W（Ta），35W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC3612
  仓库库存编号：FDMC3612CT-ND
  别名：FDMC3612CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 900mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：FDFS2P106A
  仓库库存编号：FDFS2P106ACT-ND
  别名：FDFS2P106A_NLCT
  FDFS2P106A_NLCT-ND
  FDFS2P106ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7898DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7898DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7898DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2343DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2343DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2343DS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ918DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ918DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ918DT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 77A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN8R0-40BS,118
  仓库库存编号：1727-7216-1-ND
  别名：1727-7216-1
  568-9707-1
  568-9707-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7898DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7898DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7898DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 2.8W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD19537Q3T
  仓库库存编号：296-42632-1-ND
  别名：296-42632-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC080N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC080N03LSGINCT
  BSC080N03LSGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD09P06PL G
  仓库库存编号：SPD09P06PL GCT-ND
  别名：SPD09P06PL GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC265N10LSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC265N10LSFGATMA1CT-ND
  别名：BSC265N10LSFGATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 1.6W（Ta），44W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH3R203NL,L1Q
  仓库库存编号：TPH3R203NLL1QCT-ND
  别名：TPH3R203NL,L1QCT
  TPH3R203NL,L1QCT-ND
  TPH3R203NLL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 11A TP-FA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1W（Ta），35W（Tc） TP-FA
  
  型号：SFT1345-TL-H
  仓库库存编号：SFT1345-TL-HOSCT-ND
  别名：SFT1345-TL-HOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN2R703NL,L1Q
  仓库库存编号：TPN2R703NLL1QCT-ND
  别名：TPN2R703NL,L1QCT
  TPN2R703NL,L1QCT-ND
  TPN2R703NLL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP14NF10
  仓库库存编号：497-7506-5-ND
  别名：497-7506-5
  STP14NF10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6008ANX
  仓库库存编号：R6008ANX-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 750mW（Ta）
  
  型号：SI2343DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2343DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2343DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP18NQ10T,127
  仓库库存编号：1727-4637-ND
  别名：1727-4637
  568-5754
  568-5754-5
  568-5754-5-ND
  568-5754-ND
  934055698127
  PHP18NQ10T
  PHP18NQ10T,127-ND
  PHP18NQ10T-ND
  PHP18NQ10T127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 77A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN8R0-40PS,127
  仓库库存编号：1727-4262-ND
  别名：1727-4262
  568-4893-5
  568-4893-5-ND
  934063913127
  PSMN8R040PS127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2319CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2319CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2319CDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4485DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4485DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4485DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount
  
  型号：SIA929DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA929DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA929DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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