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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.1A, 5.2A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS4897AC
仓库库存编号:
FDS4897ACCT-ND
别名:FDS4897ACCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 48.4W(Tj) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD86381_F085
仓库库存编号:
FDD86381_F085CT-ND
别名:FDD86381_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.6A(Tc) 41.7W(Tc) Power56
型号:
FDMS5362L_F085
仓库库存编号:
FDMS5362L_F085CT-ND
别名:FDMS5362L_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Ta) 3.7W(Ta), 54W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5885NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5885NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5885NLT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 75V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 17A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ980AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ980AEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ980AEP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A 29W, 66W Surface Mount 8-PowerPair?
型号:
SIZ902DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ902DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ902DT-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Tc) 54W(Tj) D-Pak
型号:
FCD5N60_F085
仓库库存编号:
FCD5N60_F085CT-ND
别名:FCD5N60_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Ta) 2.5W(Ta),50W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86252L
仓库库存编号:
FDMS86252LCT-ND
别名:FDMS86252LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7923DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7923DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7923DN-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta),16A(Tc) 2.3W(Ta),54W(Tc) Power33
型号:
FDMC86260
仓库库存编号:
FDMC86260CT-ND
别名:FDMC86260CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 24W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF1300N80Z
仓库库存编号:
FCPF1300N80Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 5.4A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta),25A(Tc) 2.8W(Ta),65W(Tc) Power33
型号:
FDMC86260ET150
仓库库存编号:
FDMC86260ET150CT-ND
别名:FDMC86260ET150CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 90W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL19N60DM2
仓库库存编号:
497-16361-1-ND
别名:497-16361-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S4L23ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND
别名:IPD30N06S4L23ATMA2CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 2.5W(Ta),46W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC066N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC066N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC066N06NSATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta),30A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86102LZ
仓库库存编号:
FDB86102LZCT-ND
别名:FDB86102LZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5009ANX
仓库库存编号:
R5009ANX-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 40W(Tc) I-Pak
型号:
STD10PF06-1
仓库库存编号:
497-12781-5-ND
别名:497-12781-5
STD10PF06-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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IXYS
250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 176W(Tc) TO-252AA
型号:
IXFY30N25X3
仓库库存编号:
IXFY30N25X3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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IXYS
250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 176W(Tc) TO-220
型号:
IXFP30N25X3
仓库库存编号:
IXFP30N25X3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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IXYS
250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) TO-220
型号:
IXFP30N25X3M
仓库库存编号:
IXFP30N25X3M-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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IXYS
250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 176W(Tc) TO-263
型号:
IXFA30N25X3
仓库库存编号:
IXFA30N25X3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta),34A(Tc) 4.1W(Ta),31W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6435
仓库库存编号:
785-1575-1-ND
别名:785-1575-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
POWER TRENCH MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 50W(Tj) Power56
型号:
FDMS86381_F085
仓库库存编号:
FDMS86381_F085CT-ND
别名:FDMS86381_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4848DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4848DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4848DY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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