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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 52W(Tc) DPAK
型号:
FCD1300N80Z
仓库库存编号:
FCD1300N80ZCT-ND
别名:FCD1300N80ZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 91W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP150N10A_F102
仓库库存编号:
FDP150N10A_F102-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 24W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FCPF1300N80ZYD
仓库库存编号:
FCPF1300N80ZYD-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ088N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ088N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ088N03LSGINCT
BSZ088N03LSGINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
STD10NF10T4
仓库库存编号:
497-3153-1-ND
别名:497-3153-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4848DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4848DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4848DY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R8005ANX
仓库库存编号:
R8005ANX-ND
别名:R8005ANXCT
R8005ANXCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A 27W, 30W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ702DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ702DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ702DT-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V POWERPAK 1212-8W
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQSA80ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQSA80ENW-T1_GE3CT-ND
别名:SQSA80ENW-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
STP14NF12
仓库库存编号:
STP14NF12-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP14NF12FP
仓库库存编号:
497-12606-5-ND
别名:497-12606-5
STP14NF12FP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 62.5W(Tc) ITO-220S
型号:
TSM60NB380CF C0G
仓库库存编号:
TSM60NB380CF C0G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.6A 800mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
AO6808
仓库库存编号:
AO6808-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4421
仓库库存编号:
785-1573-1-ND
别名:785-1573-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3457EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3457EV-T1_GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3410EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3410EV-T1_GE3-ND
别名:SQ3410EV-T1-GE3
SQ3410EV-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
PHB18NQ10T,118
仓库库存编号:
PHB18NQ10T,118-ND
别名:934055699118
PHB18NQ10T /T3
PHB18NQ10T /T3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP18NQ11T,127
仓库库存编号:
1727-4638-ND
别名:1727-4638
568-5755
568-5755-5
568-5755-5-ND
568-5755-ND
934058144127
PHP18NQ11T
PHP18NQ11T,127-ND
PHP18NQ11T-ND
PHP18NQ11T127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.1W(Ta), 46W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ068N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ068N06NSATMA1CT-ND
别名:BSZ068N06NSATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Ta) 3.7W(Ta),54W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5885NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5885NLWFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 11A TP
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Ta) 1W(Ta),35W(Tc) TP
型号:
SFT1345-H
仓库库存编号:
SFT1345-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7270DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7270DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SIR770DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR770DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Ta) 3.7W(Ta),54W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5885NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5885NLWFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 184W(Tc) TO-220
型号:
AOT12N40L
仓库库存编号:
AOT12N40L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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