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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
PHKD3NQ10T,518
仓库库存编号:
PHKD3NQ10T,518-ND
别名:934055906518
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100/20V NCH TRENCH MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 52W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
FDMC86183
仓库库存编号:
FDMC86183-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7923DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7923DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7923DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 15A/28A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 15A, 28A 2W, 2.2W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
型号:
AON6924
仓库库存编号:
785-1371-1-ND
别名:785-1371-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH6008SCT
仓库库存编号:
DMNH6008SCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.4A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7302DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7302DN-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 50W(Tc) LPTS
型号:
R5009ANJTL
仓库库存编号:
R5009ANJTL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH6008SCTQ
仓库库存编号:
DMNH6008SCTQDI-ND
别名:DMNH6008SCTQ-ND
DMNH6008SCTQDI
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 42A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP42N15T
仓库库存编号:
IXTP42N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.9A(Ta),24A(Tc) 2.5W(Ta),41W(Tc) DIRECTFET? SC
型号:
AUIRF7647S2TR
仓库库存编号:
AUIRF7647S2TR-ND
别名:SP001520570
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6.7A(Tc) 56.8W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL65R650C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL65R650C6SATMA1-ND
别名:SP001163082
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7303QTR
仓库库存编号:
AUIRF7303QTR-ND
别名:SP001521078
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 9A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB280N15NZ3GXUMA1
仓库库存编号:
BSB280N15NZ3GXUMA1CT-ND
别名:BSB280N15NZ3 GCT
BSB280N15NZ3 GCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 3.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3.8A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NB50
仓库库存编号:
497-2719-5-ND
别名:497-2719-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 12A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12PF06
仓库库存编号:
497-2721-5-ND
别名:497-2721-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530
仓库库存编号:
497-2780-5-ND
别名:497-2780-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 10A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
STD10PF06T4
仓库库存编号:
497-2456-1-ND
别名:497-2456-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.5A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223
型号:
STN3PF06
仓库库存编号:
497-4116-1-ND
别名:497-4116-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 8A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12PF06
仓库库存编号:
STF12PF06-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 34A(Tc) 65W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN023-80LS,115
仓库库存编号:
568-5583-1-ND
别名:568-5583-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 6A(Tc) 1.75W(Ta),50W(Tc) DPAK
型号:
MTD6N20ET4
仓库库存编号:
MTD6N20ET4OSCT-ND
别名:MTD6N20ET4OSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 7.5A, 6A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS4885C
仓库库存编号:
FDS4885C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 6A(Tc) 1.75W(Ta),50W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6N20ET4G
仓库库存编号:
MTD6N20ET4GOSCT-ND
别名:MTD6N20ET4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Ta) 15W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2175H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2175H-EL-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 3.6A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4992EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4992EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4992EY-T1-E3CT
SI4992EYT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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