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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1.24A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7802DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7802DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7802DN-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),28A(Tc) 2.5W(Ta),41W(Tc) Power56
型号:
FDMS8692
仓库库存编号:
FDMS8692CT-ND
别名:FDMS8692CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD484
仓库库存编号:
785-1114-1-ND
别名:785-1114-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1.24A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7802DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7802DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7802DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8031-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8031-H(TE12LQM)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8038-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8038-H(TE12L,Q)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 1.6W(Ta),30W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8023-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8023-H(TE12LQM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 24A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta) 1.6W(Ta),30W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8031-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCA8031-H(TE12L,Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.1A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2343DS-T1
仓库库存编号:
SI2343DS-T1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 3.6A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4992EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4992EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4992EY-T1-GE3CT
SI4992EYT1GE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8467DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8467DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8467DB-T2-E1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 220V 8.4A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7302DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7302DN-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 6A(Tc) 1.75W(Ta),50W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6N20ET5G
仓库库存编号:
MTD6N20ET5G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 2W(Ta),20W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
2SK3793-AZ
仓库库存编号:
2SK3793-AZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.3A(Ta) 2.8W(Ta) 6-DFN-EP(2x2)
型号:
AON2407
仓库库存编号:
785-1393-1-ND
别名:785-1393-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 15A, 26.5A 2W, 2.2W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
型号:
AON6918
仓库库存编号:
AON6918-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 50A(Tc) 91W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP150N10A
仓库库存编号:
FDP150N10A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4415
仓库库存编号:
785-1550-1-ND
别名:785-1550-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M008A050PG
仓库库存编号:
GP1M008A050PG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M008A050CG
仓库库存编号:
1560-1167-1-ND
别名:1560-1167-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M008A050FG
仓库库存编号:
1560-1168-5-ND
别名:1560-1168-1
1560-1168-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A050HG
仓库库存编号:
1560-1169-5-ND
别名:1560-1169-1
1560-1169-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.6A 800mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
AO6808_101
仓库库存编号:
AO6808_101-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4421_001
仓库库存编号:
AON4421_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 5X6DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A, 26.5A 2W, 2.2W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
AON6920_001
仓库库存编号:
AON6920_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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