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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1.24A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7802DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7802DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7802DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8692
  仓库库存编号：FDMS8692CT-ND
  别名：FDMS8692CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD484
  仓库库存编号：785-1114-1-ND
  别名：785-1114-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1.24A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7802DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7802DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7802DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8031-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8031-H(TE12LQM)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8038-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8038-H(TE12L,Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8023-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8023-H(TE12LQM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 24A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8031-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8031-H(TE12L,Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2343DS-T1
  仓库库存编号：SI2343DS-T1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 3.6A 1.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4992EY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4992EY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4992EY-T1-GE3CT
  SI4992EYT1GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 780mW（Ta），1.8W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8467DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8467DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8467DB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220V 8.4A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7302DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7302DN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6A（Tc） 1.75W（Ta），50W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD6N20ET5G
  仓库库存编号：MTD6N20ET5G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Tc） 2W（Ta），20W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：2SK3793-AZ
  仓库库存编号：2SK3793-AZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.3A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2407
  仓库库存编号：785-1393-1-ND
  别名：785-1393-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 15A, 26.5A 2W, 2.2W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
  
  型号：AON6918
  仓库库存编号：AON6918-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 50A（Tc） 91W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP150N10A
  仓库库存编号：FDP150N10A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4415
  仓库库存编号：785-1550-1-ND
  别名：785-1550-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M008A050PG
  仓库库存编号：GP1M008A050PG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M008A050CG
  仓库库存编号：1560-1167-1-ND
  别名：1560-1167-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M008A050FG
  仓库库存编号：1560-1168-5-ND
  别名：1560-1168-1
  1560-1168-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M008A050HG
  仓库库存编号：1560-1169-5-ND
  别名：1560-1169-1
  1560-1169-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.6A 800mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：AO6808_101
  仓库库存编号：AO6808_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-DFN（3x2）
  
  型号：AON4421_001
  仓库库存编号：AON4421_001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 5X6DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A, 26.5A 2W, 2.2W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6920_001
  仓库库存编号：AON6920_001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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