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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 2.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5804
  仓库库存编号：IRF5804-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 2.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5804TR
  仓库库存编号：IRF5804TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU09P06PL
  仓库库存编号：SPU09P06PLIN-ND
  别名：SP000012876
  SPU09P06PLIN
  SPU09P06PLX
  SPU09P06PLXTIN
  SPU09P06PLXTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD09P06PL
  仓库库存编号：SPD09P06PLINCT-ND
  别名：SPD09P06PLINCT
  SPD09P06PLXTINCT
  SPD09P06PLXTINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 12.5A（Tc） 31.2W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX18NQ11T,127
  仓库库存编号：PHX18NQ11T,127-ND
  别名：934057815127
  PHX18NQ11T
  PHX18NQ11T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD18NQ10T,118
  仓库库存编号：PHD18NQ10T,118-ND
  别名：934055700118
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N06S4L23ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N06S4L23ATMA1TR-ND
  别名：IPD30N06S4L-23
  IPD30N06S4L-23-ND
  SP000374320
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7303Q
  仓库库存编号：AUIRF7303Q-ND
  别名：SP001517242
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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