品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3707PBF
仓库库存编号:
IRFU3707PBF-ND
别名:*IRFU3707PBF
SP001571912
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3704LPBF
仓库库存编号:
IRF3704LPBF-ND
别名:*IRF3704LPBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 90W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3704PBF
仓库库存编号:
IRFU3704PBF-ND
别名:*IRFU3704PBF
SP001576342
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3704TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3704PBFCT-ND
别名:*IRFR3704TRPBF
IRFR3704PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3707PBFCT-ND
别名:*IRFR3707TRPBF
IRFR3707PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7460TRPBF
仓库库存编号:
IRF7460PBFCT-ND
别名:*IRF7460TRPBF
IRF7460PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3704STRLPBFCT-ND
别名:IRF3704STRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3707STRRPBF-ND
别名:SP001564624
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3707STRLPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7475TRPBF
仓库库存编号:
IRF7475TRPBFCT-ND
别名:IRF7475TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
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