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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R099C6XKSA1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 127nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R099C6XKSA1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 127nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R099C6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R099C6FKSA1-ND
  别名：SP000896396
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 127nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7905-40AIE,127
  仓库库存编号：1727-7230-ND
  别名：1727-7230
  568-9774-5
  568-9774-5-ND
  934057267127
  BUK7905-40AIE
  BUK7905-40AIE,127-ND
  BUK7905-40AIE-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 127nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R099C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R099C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R099C6ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 127nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 198W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R0-40YLDX
  仓库库存编号：1727-1856-1-ND
  别名：1727-1856-1
  568-11552-1
  568-11552-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 127nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7905-40AI,127
  仓库库存编号：BUK7905-40AI,127-ND
  别名：934058078127
  BUK7905-40AI
  BUK7905-40AI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 127nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK7105-40AIE,118
  仓库库存编号：568-9627-1-ND
  别名：568-9627-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 127nC @ 10V,
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