品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),35W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC093N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC093N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ097N04LS G
仓库库存编号:
BSZ097N04LSGINCT-ND
别名:BSZ097N04LSGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP60R180C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R180C7XKSA1-ND
别名:SP001277624
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),48A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC090N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC090N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC090N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03MSGINCT
BSC090N03MSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 68W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R180C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R180C7XKSA1-ND
别名:SP001296232
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 73W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R450P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R450P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R450P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD26N06S2L35ATMA2
仓库库存编号:
IPD26N06S2L35ATMA2CT-ND
别名:IPD26N06S2L35ATMA2CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD33CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD33CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD33CN10NGATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),40A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0902NSI
仓库库存编号:
BSZ0902NSICT-ND
别名:BSZ0902NSICT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 73W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80R450P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R450P7XKSA1-ND
别名:SP001422730
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 29W(Tc) TO-220-3F
型号:
IPA80R450P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R450P7XKSA1-ND
别名:SP001422558
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 29W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN80R450P7XKSA1
仓库库存编号:
IPAN80R450P7XKSA1-ND
别名:SP001632932
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 13A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R180C7ATMA1-ND
别名:SP001277630
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 13A(Tc) 77W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R185C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R185C7AUMA1-ND
别名:SP001296238
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13A(Tc) 68W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R180C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R180C7ATMA1-ND
别名:SP001296224
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9A(Tc) 29W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA60R180C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180C7XKSA1-ND
别名:SP001296216
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 68W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD26N06S2L-35
仓库库存编号:
SPD26N06S2L-35-ND
别名:SP000013570
SPD26N06S2L35T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB34CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPB34CN10NGATMA1TR-ND
别名:IPB34CN10N G
IPB34CN10N G-ND
SP000277693
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD26N06S2L35ATMA1
仓库库存编号:
IPD26N06S2L35ATMA1TR-ND
别名:IPD26N06S2L-35
IPD26N06S2L-35-ND
SP000252165
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD33CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD33CN10NGBUMA1TR-ND
别名:IPD33CN10N G
IPD33CN10N G-ND
SP000096458
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI35CN10N G
仓库库存编号:
IPI35CN10N G-ND
别名:SP000208936
SP000680730
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP35CN10N G
仓库库存编号:
IPP35CN10N G-ND
别名:SP000096473
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MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP35CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP35CN10NGXKSA1-ND
别名:SP000680926
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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