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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 73W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001422730
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.8A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7942DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7942DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7942DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD175N10TL
  仓库库存编号：RSD175N10TLCT-ND
  别名：RSD175N10TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF830ALPBF
  仓库库存编号：IRF830ALPBF-ND
  别名：*IRF830ALPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 96W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK768R1-40E,118
  仓库库存编号：1727-7257-1-ND
  别名：1727-7257-1
  568-9886-1
  568-9886-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP19NF20
  仓库库存编号：497-7514-5-ND
  别名：497-7514-5
  STP19NF20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 63A (Tc) 71W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
  
  型号：SQJQ960EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ960EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ960EL-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 44.6W（Tc） ITO-220S
  
  型号：TSM7NC60CF C0G
  仓库库存编号：TSM7NC60CF C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 44.6W（Tc） ITO-220S
  
  型号：TSM7NC65CF C0G
  仓库库存编号：TSM7NC65CF C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：STD19NF20
  仓库库存编号：STD19NF20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 11A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 1.9W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6520
  仓库库存编号：785-1577-1-ND
  别名：785-1577-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 13.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），36A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD418
  仓库库存编号：AOD418-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 700mW（Ta），19W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN6R303NC,LQ
  仓库库存编号：TPN6R303NCLQCT-ND
  别名：TPN6R303NCLQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI7N60
  仓库库存编号：785-1452-5-ND
  别名：785-1452-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI9N50
  仓库库存编号：785-1455-5-ND
  别名：785-1455-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 3.3A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta），12A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6484
  仓库库存编号：AON6484-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 178W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD7N60
  仓库库存编号：785-1483-1-ND
  别名：785-1483-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 11A, 12A 1.9W, 2.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6926
  仓库库存编号：785-1580-2-ND
  别名：AON6926-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5834NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5834NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Tc） 88W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD9NQ20T,118
  仓库库存编号：PHD9NQ20T,118-ND
  别名：934055766118
  PHD9NQ20T /T3
  PHD9NQ20T /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5834NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5834NLWFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5834NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5834NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5834NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5834NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.1A, 5.3A 450mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TPC8408,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8408LQ(S-ND
  别名：TPC8408LQ(S
  TPC8408LQS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 23A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 37W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD23N06-31L_GE3
  仓库库存编号：SQD23N06-31L_GE3-ND
  别名：SQD23N06-31L-GE3
  SQD23N06-31L-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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