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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5853NT1G
  仓库库存编号：NVMFD5853NT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5853NWFT1G
  仓库库存编号：NVMFD5853NWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 110W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU430APBF
  仓库库存编号：IRFU430APBF-ND
  别名：*IRFU430APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF820LPBF
  仓库库存编号：IRF820LPBF-ND
  别名：*IRF820LPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI7N65
  仓库库存编号：785-1453-5-ND
  别名：785-1453-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820STRLPBF
  仓库库存编号：IRF820STRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820STRRPBF
  仓库库存编号：IRF820STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK9A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK9A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK9A60D(STA4QM)
  TK9A60DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK11A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK11A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK11A50D(STA4QM)
  TK11A50DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A65D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK7A65D(STA4QM)-ND
  别名：TK7A65D(STA4QM)
  TK7A65DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A45D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK12A45D(STA4QM)-ND
  别名：TK12A45D(STA4QM)
  TK12A45DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK10A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK10A55D(STA4QM)
  TK10A55DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF830A
  仓库库存编号：IRF830A-ND
  别名：*IRF830A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001422558
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPAN80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001632932
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI820G
  仓库库存编号：IRFI820G-ND
  别名：*IRFI820G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP3N80
  仓库库存编号：IXFP3N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA3N80
  仓库库存编号：IXFA3N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R180C7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R180C7ATMA1-ND
  别名：SP001277630
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 77W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R185C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R185C7AUMA1-ND
  别名：SP001296238
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R180C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R180C7ATMA1-ND
  别名：SP001296224
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA60R180C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R180C7XKSA1-ND
  别名：SP001296216
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF730
  仓库库存编号：497-2736-5-ND
  别名：497-2736-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 50A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD50NH02LT4
  仓库库存编号：497-2472-1-ND
  别名：497-2472-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 38A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD38NH02LT4
  仓库库存编号：497-3160-1-ND
  别名：497-3160-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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