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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 24V 50A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD50NH02L-1
  仓库库存编号：497-3519-5-ND
  别名：497-3519-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 38A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 24V 38A（Tc） 40W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD38NH02L-1
  仓库库存编号：STD38NH02L-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF820
  仓库库存编号：IRF820IR-ND
  别名：*IRF820
  IRF820IR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820S
  仓库库存编号：IRF820S-ND
  别名：*IRF820S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF830AS
  仓库库存编号：IRF830AS-ND
  别名：*IRF830AS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 370mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD420
  仓库库存编号：IRFD420-ND
  别名：*IRFD420
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF830AL
  仓库库存编号：IRF830AL-ND
  别名：*IRF830AL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF820L
  仓库库存编号：IRF820L-ND
  别名：*IRF820L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820STRL
  仓库库存编号：IRF820STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820STRR
  仓库库存编号：IRF820STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF830ASTRL
  仓库库存编号：IRF830ASTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.7A（Ta） 1.56W（Ta） SOT-223
  
  型号：MMFT5P03HDT1
  仓库库存编号：MMFT5P03HDT1OS-ND
  别名：MMFT5P03HDT1OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 17A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRCZ24PBF
  仓库库存编号：IRCZ24PBF-ND
  别名：*IRCZ24PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N50C
  仓库库存编号：FQPF5N50C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N50CTF
  仓库库存编号：FQD5N50CTF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU5N50CTU
  仓库库存编号：FQU5N50CTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 73W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5N50C
  仓库库存编号：FQP5N50C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N50CTM
  仓库库存编号：FQD5N50CTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N50CTTU
  仓库库存编号：FQPF5N50CTTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N50CT
  仓库库存编号：FQPF5N50CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 73W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N50CTU
  仓库库存编号：FQI5N50CTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N50CFTU
  仓库库存编号：FQPF5N50CFTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Tc） 96W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N50CFTM
  仓库库存编号：FQB5N50CFTMCT-ND
  别名：FQB5N50CFTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5435BDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5435BDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5435BDC-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 11A/8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A, 8A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4932
  仓库库存编号：785-1065-1-ND
  别名：785-1065-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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