以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4435_103
  仓库库存编号：AO4435_103-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4435L_102
  仓库库存编号：AO4435L_102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4476A_103
  仓库库存编号：AO4476A_103-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4476A_104
  仓库库存编号：AO4476A_104-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4476AL_102
  仓库库存编号：AO4476AL_102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.5A（Ta），36A（Tc） 3.1W（Ta），23W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7702A_101
  仓库库存编号：AON7702A_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF7T60
  仓库库存编号：AOTF7T60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 29W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF7T60L
  仓库库存编号：AOTF7T60L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  N-CHANNEL ADVANCE QFET C-SERIES
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD5N50CTM_WS
  仓库库存编号：FQD5N50CTM_WS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 25W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX9NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX9NQ20T,127-ND
  别名：934055769127
  PHX9NQ20T
  PHX9NQ20T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD26N06S2L-35
  仓库库存编号：SPD26N06S2L-35-ND
  别名：SP000013570
  SPD26N06S2L35T
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB34CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB34CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB34CN10N G
  IPB34CN10N G-ND
  SP000277693
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD26N06S2L35ATMA1
  仓库库存编号：IPD26N06S2L35ATMA1TR-ND
  别名：IPD26N06S2L-35
  IPD26N06S2L-35-ND
  SP000252165
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD33CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD33CN10NGBUMA1TR-ND
  别名：IPD33CN10N G
  IPD33CN10N G-ND
  SP000096458
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI35CN10N G
  仓库库存编号：IPI35CN10N G-ND
  别名：SP000208936
  SP000680730
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP35CN10N G
  仓库库存编号：IPP35CN10N G-ND
  别名：SP000096473
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP35CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP35CN10NGXKSA1-ND
  别名：SP000680926
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索